Прорыв: создан прототип оперативной памяти A-RAM

Ученые из Университета Гранады объявили о создании прототипа революционного устройства хранения данных. Речь идет о так называемой A-RAM памяти.

Теоретическая модель технологии Advanced Random Access Memory (A-RAM) была разработана в 2009 году. Испанцы впервые экспериментально подтвердили ее состоятельность и заявили о возможности создания миниатюрной памяти A-RAM и ее модификации A2RAM, которые можно использовать в большинстве цифровых устройств, таких как компьютеры, смартфоны, планшеты и т.д. Новая память позволяет хранить данные длительное время, потребляет мало энергии и имеет больший диапазон между логическими уровнями, что делает A-RAM более устойчивой к помехам, ошибкам и производственному браку.

В настоящее время для быстродействующей компьютерной памяти используется технология DRAM (1T-1C-DRAM), состоящая из ячеек памяти на базе транзисторов и конденсаторов (1T-1C-DRAM). Каждый бит информации хранится в виде электрического заряда в отдельной ячейке, которая считывает заряд и, соответственно, обеспечивает доступ к информации. Сегодня размер ячейки DRAM уже уменьшился до 20 нм (1 нанометр равен одной миллиардной части метра), а DRAM-чип содержит несколько гигабайт информации. Однако дальнейшее уменьшение размеров ячеек DRAM затруднительно, поскольку необходимо использовать все более слабый заряд, которым сложно управлять и который сложно считывать.
В A-RAM проблема невозможности дальнейшего уменьшения физических размеров ячейки памяти решена просто – удалением «ненужного» конденсатора. В результате получается память 1T-DRAM, то есть с одним транзистором, который хранит информацию и одновременно считывает и записывает ее. Это позволяет существенно улучшить характеристики памяти.